Intel 19 日宣佈中国大连晶圆厂 Fab 68 将会採用 65 奈米製程技术，这座全新的 12 吋厂将会在 2010 年建成投产，投资总额为 25 亿美元。未来大连晶圆厂製造的 IC 晶片将针对全球市场，应用在 Intel 新型和主流中央处理器平台上，爲最新型的行动电脑和桌面电脑的晶片组及週边 IC 晶片产品。

坐拥 163,000 平方米厂房面积的大连晶圆厂是 Intel 第一个在亚洲建立的 12 吋晶圆厂面积，仅採用 65 奈米技术是因为目前美国政府批准的海外最先进生産技术所规限，现时大连晶圆厂的建设正在按计划稳步推进，综合办公大楼和数据中心 IT 机房已经落成及投入使用，工厂厂房建设将在今年夏季季末完成，随后进入设备安装和调试阶段。目前，大连晶圆厂僱员人数已经达到 500 人，计划投産后员工人数将达 1200 至 1500 名。

据 Intel 大连晶圆厂总经理柯必杰表示，大连晶圆厂的建造没有受到全球经济衰退的影响，工厂将于 2010 年如期建成投産， Intel 对中国及东北地区的经济增长充满信心，并致力将先进的製造技术引入中国，大力支持大连 IT 産业生态系统的建设，并对 Intel 的未来策略性发展意义重大，并且已爲今后的更先进的制程技术升级做好准备。

明天是 Apple 的第三代 iPhone 上市，据市调机构 DRAMeXchange 认为， NAND Flash 目前处于淡季，加上其它主要应用产品买气并未提升，因此估计 NAND Flash 短期内合约价将呈现部分持平，部分回转走势。

6 月初以来 NAND Flash 市场处于相对稳定的状况，就需求面来看， DRAMeXchange 表示，由于整体消费力道尚未恢复，使下游各项终端产品的销售力道不如以往。

Apple 推出第三代 iPhone ，预期明天上市后仍有热销的密月期，其他手机大厂今年第三季也将趁势推出各种高阶智慧型手机，可望使短期来自手机系统客户的需求明显增加，然而，其他 NAND Flash 的主要应用产品，如记忆卡 & UFD 等，受到淡季效应与不景气影响，买气并未上升，且目前记忆卡以及 UFD 市场未来需求的能见度不高，加上季底效应还要调低库存水位，因此下游客户在採购意愿也变得比较谨慎保守，而多採取观望的态度。

全球通路主机板市场四成市佔， Intel 主流级平台成为了兵家必争之地，各大 MB 厂商已经开始为即将于 9 月上市的新一代 Intel 平台主流级晶片组 P55 造势，此次我们将分析 GIGABYTE 新一代 P55 主机板系列产品行销佈局，并为读者带来 GA-EP55-UD4P 工程样本预览。

此片 GIGABYTE P55 主机板工程样本，型号为 GA-EP55-UD4P ，让香港读者可以率先一睹 Intel 下一代效能级平台，採用 ATX Form Factor 设计，尺寸为 305mm x 244mm ， 4 Layers PCB 设计，晶片组採用 Intel P55 系统晶片，处理器接口为 LGA 1156 ，支援下一代 Intel Lynnfield 处理器 ( 暂定市场名称为 Intel Core i5) 。虽然并不是最顶级型号，但规格仍然十分强劲， Ultra Durable 3 、 2oz Copper PCB 等技术当然少不了，连效能级型号也提升至 12 相位供电，为了提供更佳升级能力，主机板更规划了加入 SATA 3 控制晶片，提供 4 组 SATA 6Gb/s 接口支援。

由于制程及晶片整合技术的进步，下一代 Intel Lynnfield 处理器已仅拥有运算单元，而是把北桥功能整合至处理器核心内，包括了记忆体控制器及 PCI-Express 控制器，新一代 P55 晶片已变成单晶片设计，主要机能仅为南桥作用，支援 14 个 USB 接口、 8 个 PCI-E x1 、 4 个 PCI 及 6 个 SATA 接口，与处理器之间的传输协定亦由 QPI 改为 DMI 。

NVIDIA 16 日出货全新 TSMC 40 奈米制程并支援 DirectX 10.1 功能的 GeForce 200M 行动电脑用绘图晶片，由低阶的 GeForce G210M 至 GeForce GTS 260M 合共五款产品，据绘图业者表示， NVIDIA 暂时无意把桌面绘图晶片产品导入 40 奈米系列，暂时仍会沿用 55 奈米，主要原因为 TSMC 40 奈米并不够成熟并良率欠佳。

虽然 AMD 早前已推出首款 40 奈米绘图产品，但市场上架的数量却十分稀少，主要原因为 TSMC 40 奈米良率欠佳，导致 Radeon HD 4770 一直未能大量供货，故此 NVIDIA 突然宣佈出货 40 奈米绘图晶片产品，不少业者均担心 NVIDIA 会否被 TSMC 40 奈米问题所拖累。

据了解，此次发佈的全新 40 奈米绘图晶片主要针对行动电脑绘图晶片市场，包括 GeForce G210M 、 GeForce GT 230M 、 GeForce GT 240M 、 GeForce GTS 250M 及 GeForce GTS 260M ，主要改良仅为制程缩减，在效能上与 55 奈米版本并无差异，但功耗表现却大幅改变， TDP 由 14W ~ 38W 不等。

据台湾 MB 业者表示， AMD 将于下週向业界发放下代主流级 IGP 桌面晶片组 RS880D 、高阶晶片组 RD890 EVT 北桥及新一代 SB850 南桥样本， DVT 样本将于 7 月中提供，预计产品量产时间为 11 月，上市时间将定于 2010 年 1 月。

据 MB 业者指出， AMD 仍未有透露 RD890 的正式规格，如果从基本硬体规格上看，则与上代 RD790 分别不大採用 29mm x 29mm FCBGA 封装，支援 Hyper-Transport 3.0 及 PCI-Express 2.0 规格，支援双组 PCI-E x 16 或 4 组 PCI-E x 8 绘图图接口配搭，扩充接口同样提供 6 组 PCI-E x1 ，仅加入多 1 组原生 PCI-E x4 介面，最高 TDP 为 18W ，最终市场名称未定。

效能级 IGP 晶片组 RS880D 方面，其绘图规格将大致与 AMD 785G 相同，支援 Hyper-Transport 3.0 规格及 PCI-Express 2.0 规格，绘图核心内建基于 RV620 ，支援 Direct X10.1 及 Shader Model 4.1 规格，影像处理技术亦提升至 Unified Video Decoder 2 (UVD2) 版本，分别在于绘图核心时脉由 500MHz 提升至 700MHz FSB ，最高 TDP 为 22W ，最终市场名称未定 。此外，援双 x8 PCI-E 绘图接口配置，提供双绘图卡 CrossFireX 绘图技术，与针对主流级市场的 AMD 785G 成为主流市场区间。